主要參數符號表

A*　有效理查遜常數

a　晶格常數

B　磁感應強度

B　晶體管基極

C　電容

C　晶體管集電極

Cgd　MESFET漏柵之間的肖特基結勢壘電容

Cgs　MESFET源柵之間的肖特基結勢壘電容

D　（1）電位移；（2）雙極擴散系數

D　場效應晶體管漏極

E　（1）電子能量；（2）電場強度

E　晶體管發射極

EA　受主能級

Ec　導帶底能量

ΔEc　異質界面導帶突變量

ED　施主能級

EF　費米能級

EFm　金屬一側費米能級

EFs　半導體一側費米能級

Eg　禁帶寬度

Ei　（1）本征費米能級；（2）禁帶中部位置

Ev　價帶頂能量

ΔEv　異質界面導帶突變量

E0　真空電子靜止能量

Fmin　最小噪聲系數

fT　特征頻率

fmax　最大振蕩頻率

G　（1）載流子凈產生率；（2）光電導增益因子

G　場效應晶體管柵極

g　（1）基態簡并度；（2）激光增益系數

g（E）　狀態密度

gm　跨導

H　磁場強度

h　普朗克常數

I　（1）電流；（2）發光強度

IB　晶體管基極電流

IC　晶體管集電極電流

ID　漏極電流

IDsat　漏極飽和電流

IE　晶體管發射極電流

IF　正向電流

IL　光生電流

Ip　峰值電流

IR　反向電流

Ir　復合電流

Is　反向飽和電流

Iv　谷值電流

J　電流密度

JF　正向電流密度

Jn　電子電流密度

Jp　空穴電流密度

JR　反向電流密度

Jr　復合電流密度

Js　反向飽和電流密度

k　（1）波矢量；（2）玻耳茲曼常數

LD　德拜長度

Ln　電子擴散長度

Lp　空穴擴散長度

l　平均自由程

m0　電子慣性質量

m*　有效質量

NA　受主濃度

Nc　導帶有效態密度

ND　施主濃度

Nv　價帶有效態密度

NSS　異質界面懸掛鍵數目

n　（1）電子濃度；（2）折射率；（3）理想因子

n0　平均電子濃度

Δn　非平衡電子濃度

nD　中性施主濃度

ni　本征載流子濃度

np　p型電子濃度

np0　p型平衡電子濃度

ns　表面載流子濃度

Po　光學波散射概率

Ps　晶格散射概率

p　（1）空穴濃度；（2）動量

p0　平衡空穴濃度

Δp　非平衡空穴濃度

pA　中性受主濃度

pn0　n型平衡空穴濃度

pp　p型空穴濃度

pp0　p型平衡空穴濃度

Q　（1）光生載流子產生率；（2）電荷面密度

QS　表面電荷面密度

q　電子電量

qVD　勢壘高度

qφB　金半接觸中金屬一側的勢壘高度

R　（1）電阻；（2）反射系數；（3）符合率

Rds　MESFET跨接在漏和源之間的微分電阻

Ri　MESFET等效溝道電阻

s　（1）截面積；（2）表面復合速度

S　場效應晶體管柵極

T　（1）溫度；（2）透射概率

t　時間

U　（1）非平衡載流子復合率；（2）單向化增益

V　（1）電壓；（2）電勢

VBR　擊穿電壓

VD　內建電勢差

VDsat　場效應晶體管飽和漏電壓

Vs　表面勢

Vp　夾斷電壓

VT　閾值電壓

vsat　飽和漂移速度

vth　電子熱運動速度

W　功函數

WB　基區寬度

WE　發射區寬度

Wm　金屬功函數

Ws　半導體功函數

xj　pn結結深

xd　耗盡區寬度

α　（1）吸收系數；（2）晶體管基區輸運系數

β　（1）壓縮系數；（2）晶體管放大系數

γ　（1）注入比；（2）晶體管發射結注入效率

δ　E c-EF，或EF-Ev

ε　介電常數

εs　半導體相對介電常數

ε0　真空介電常數

μ　遷移率

μ0　低場遷移率

μI　雜質散射所造成的遷移率

μL　晶格散射所造成的遷移率

μn　電子遷移率

μp　空穴遷移率

ρ　（1）電阻率；（2）電荷體密度

ρi　本征電阻率

ρn　n型電阻率

ρp　p型電阻率

σ　（1）電導率；（2）俘獲截面

σi　本征電導率

σn　n型電導率

σp　p型電導率

τ　（1）平均自由時間；（2）壽命

τb　晶體管基區少子渡越時間

τc　晶體管集電結電容充電時間

τd　晶體管集電結耗盡層渡越時間

τe　晶體管發射結電容充電時間

τec　晶體管延遲時間

τn　電子壽命

τp　空穴壽命

η　效率

λ　（1）波長；（2）溝道調制系數

χ　電子親和能

ω　角頻率

ψ（x）　波函數

φ（x）　功函數